型號 ：ZCL-700

一、真空室：

1. 形式：雙腔室結(jié)構(gòu)，中間配置閘板閥。

 A、濺射室：700（寬）x700(深)x600mm(高)，后開門。配置3個 CF35法蘭，軸心指向工作臺，用于觀測，觀測路徑上不得有阻擋;另設(shè)置φ100mm觀測窗一個。

B、進料室：500（寬）x500(深)x600mm(高)，前開門。配置射頻離子源（清洗）和傳送機構(gòu)，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

C、閘板閥：500x400mm.送料機構(gòu)傳送。

2. 室體材料304不銹耐酸鋼，內(nèi)壁不銹鋼拋光，外壁噴丸處理。

3. 含2套腔體防污板 （304材料）。

4. 樣片在上，磁控靶在上

5. 冷卻管道采用304不銹鋼管。

6. 主機與電控柜連接之電纜，應(yīng)裝入線槽，且從上方通過。

7. 所有供水管均采用塑料高壓氣管，進、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示。

8. 控電柜采用縱柜形式。

二、真空系統(tǒng)：

1．進料室：A.極限真空 ≤1.0x10-3pa，恢復真空： 大氣→9×10-1Pa ≤30min。

B.真空泵配置：250分子泵 + GSD120B干泵一臺

C.送樣系統(tǒng) 采用load-lock室送樣系統(tǒng)，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

2．濺射室：A.極限真空 ≤5.0x10-5pa，恢復真空： 大氣→1.0×10-4Pa ≤40min

B.升壓率：≤5.0pa@12hours

C.真空泵配置：GSD120B干泵一臺（低噪音）+ 400分子泵一臺

D.濺射真空室抽氣速率45min內(nèi)真空度≤1×10-4Pa 

E.濺射真空室升壓率 ≤5.0Pa@12hours

3. 真空系統(tǒng)測量：自動真空壓強控制儀；觀察窗口徑≥Φ80mm

4. 真空系統(tǒng)操作：自動/手動(PLC控制)

三、加熱控溫系統(tǒng)：

  1.管狀加熱器加熱紅外輻射加熱，功率6Kw。

2.加熱控制溫度范圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

3.數(shù)字PID自動控溫系統(tǒng)，溫度可控可調(diào)（測量位置：被鍍基片附近）；非接觸工件直接測溫，熱電偶控溫。

四、工作臺（基片臺）

1.正置工作臺1個，共聚焦濺射。工作臺旋轉(zhuǎn)，3-30rpm無級變速，速度連續(xù)可調(diào)。

工作模式

全自動濺射：調(diào)取預存設(shè)置參數(shù)，濺射全程無需干預，支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

半自動濺射：可單獨設(shè)置全部控制參數(shù)，并執(zhí)行濺射程序，中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

手動濺射：點動控制各硬件模塊，進行濺射。

2.工件旋轉(zhuǎn)：自轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5~30rpm；可放置φ250mm樣品一件。

3.濺射膜厚均勻區(qū)：不均勻性小于±5%@1μm，區(qū)域直徑≥200mm。

4. 濺射膜厚重復性：≥95%

5.加熱控溫系統(tǒng)采用電阻絲加熱；紅外輻射加熱，非接觸工件直接測溫，熱電偶控溫；加熱控制溫度范圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

6.工作臺高度可調(diào)，以滿足靶基距離調(diào)整要求。

五、磁控濺射靶及電源（直徑6英吋磁控靶，濺射靶數(shù)量3個，角度可調(diào)）：

.直流濺射電源（3件）：3KW（恒流控制）；射頻電源2件，1.5Kw。

2.濺射方式：由上往下濺射；靶基間距80-300mm可調(diào)，調(diào)節(jié)量可控，分辨率≤±1mm。

3.濺射材料：A.金屬：Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi

B.非金屬：AlN、SiO2、Al2O3

4.每件靶上面有氣動擋板，擋板可旋轉(zhuǎn)。

5.濺射模式 直流濺射/射頻濺射

6.功率 直流濺射功率≥1000W；射頻濺射功率＞600W。

7.有效區(qū)域 ≥Φ250mm

8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小于±5%@1μm 區(qū)域直徑≥200mm。

9.濺射膜厚重復性 ≥95%

10.靶電極和冷卻水管須套在不銹鋼管內(nèi)；

11.磁控濺射靶的冷卻水做到只要鍍膜開機抽真空，其冷卻水就暢通；

12.直流、射頻磁控電源能方便切換到需要工作的磁控濺射靶上，預濺射

正式濺射的時間能直觀地顯示在觸摸屏上。

六、壓力控制系統(tǒng)：

.自動壓強控制儀：控制范圍5×10-2Pa（0.1Pa）～10 Pa可調(diào)，穩(wěn)定控制精度±0.1Pa

2.氣路控制3路工藝氣體進氣，1路N2，1路Ar，1路O2，質(zhì)量流量計控制氣體流量。

3.充氣系統(tǒng)：配3只日本山武質(zhì)量流量計。

4.氣路：全金屬管路，采用內(nèi)壁拋光不銹鋼管。

七、清洗系統(tǒng)：

Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻離子源，可對樣品進行射頻清洗。

八、計算機全自動控制系統(tǒng)：

1.控制方式：17”一體式工控機電腦 + 工業(yè)控制PLC模塊。

2.性能：

1）可靠性：..的故障反饋及誤操作互鎖保護功能，具備各系統(tǒng)的自診斷功能：設(shè)備一旦出現(xiàn)故障，自動存儲故障記錄，發(fā)出聲光報警，等待操作人員檢查處理；                             

2）自動化：可以實現(xiàn)從排氣到濺射完成的一鍵控制，控制較為靈活。

3）用戶可自行編寫濺射程序，并由此濺射機自動實施。

3.濺射數(shù)據(jù)管理：

1）參數(shù)包括但不限以下：膜層的濺射氣壓、功率（電壓、電流）、時間、溫度、基片臺轉(zhuǎn)速等

2）真空度數(shù)據(jù)保存及曲線顯示；

4.工作模式：

1）全自動濺射：調(diào)取預存設(shè)置參數(shù)，濺射全程無需干預，支持999層膜層參數(shù)設(shè)置。

2）半自動濺射：可單獨設(shè)置全部控制參數(shù)，并執(zhí)行濺射程序，中途可以中斷并修改參數(shù)并重新濺射。

3）手動濺射：點動控制各硬件模塊，進行濺射。

每層膜層的濺射氣壓曲線、功率（電壓、電流）曲線、時間、溫度曲線、基片臺轉(zhuǎn)速等參數(shù)并以數(shù)據(jù)表和圖片的形式導出，且界面美觀。

4.濺射過程自動化，自動控制的主要內(nèi)容：

1）具備..的故障反饋及誤操作互鎖保護功能以及各系統(tǒng)自診斷功能；

2）真空系統(tǒng)抽、排氣可編程設(shè)置，由工控電腦自動控制完成；

3）工件盤轉(zhuǎn)動的高，低速旋轉(zhuǎn)可編程設(shè)置；

4）氣體管路閥門及進氣量可編程設(shè)置；由工控電腦自動控制壓控儀完成；

5）各個泵閥的控制由PLC來自動完成；

6）膜厚控制采用時間功率方式進行，可顯示濺射時間及功率；

5.控制特點：

1）人機界面為中文觸摸形式，可由觸摸屏或鍵盤和鼠標進行對話；

2）參數(shù)設(shè)置功能：時間、功率及相關(guān)參數(shù)；

3）可通過編程進行參數(shù)設(shè)置，也可在電腦屏幕上直接輸入；

4）具有..的數(shù)據(jù)信息自動存儲功能，記錄文件可方便的輸出；

5）記錄文件格式可轉(zhuǎn)換為Excell格式

6）整個工作過程自動儲存。

7）保護功能具備自鎖、互鎖安全保護措施

九、安裝要求：

1.環(huán)境溫度：10～35℃;

2.相對濕度：不大于80%；

3.設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬表面腐蝕或引起金屬間導電的塵埃或氣體存在。

十一、設(shè)備動力要求：

1.水源: 自來水循環(huán)，水壓0.2～0.3Mpa，水量～60L/min，進水溫度≤20℃～25℃；

2.氣源：氣壓0.6Mpa；

3.電源：三相五線制220V/380V，50Hz，電壓波動范圍：三相342～399V，單相198～231V；頻率波動范圍：49～51Hz；設(shè)備功率：～20KW；接地電阻4Ω；

十一、設(shè)備總尺寸：＜2.5m(長) x 1.5m(寬) x 2.0（高）