一、主要用途:

本設備是乙方專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性研發(fā)的一種精密光刻機，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。

二、 主要性能指標

1、曝光類型：單面；

2、曝光面積（有效面積）：φ310mm；

3、曝光照度均勻性：≥ 96%；

4、曝光強度：0～30mw/cm2可調(diào)；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：2年；

8、曝光分辨率：2μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光；

10、顯微鏡移動范圍：X：±50mm   Y：±100mm；

11、對準范圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度：2μm；

13、分離量；0～50μm可調(diào)；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密著曝光，可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平； 8英寸wafer；

17、顯微系統(tǒng)：雙視場CCD系統(tǒng)，顯微鏡91X～570X連續(xù)變倍（物鏡1.6X～10X連續(xù)變倍），雙物鏡距離可調(diào)范圍50mm～120mm，計算機圖像處理系統(tǒng)，19″液晶監(jiān)視器；計算機圖像處理系統(tǒng)，19″以上液晶監(jiān)視器；CCD用HMDI端口；

18、掩膜板尺寸： 355.6mm×355.6mm（12英寸wafer對應版）；228.6mm×228.6mm（8英寸wafer對應版）；

19、基片尺寸：φ304.8mm；

20、基片厚度：12英寸厚度775±20um；8英寸厚度725±20um；

21、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；

22、對準精度：±1μm；

23、曝光頭移動：電動；

24、電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤3KW；

25、潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

26、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27、G-26D12型光刻機的組成：

由主機（含機體和工作臺），對準用單筒顯微鏡，高均勻性曝光頭組成。

28、附件如下：

a.主機附件：

1)掩膜版板架，按上面第18提供。

2)真空夾持承片臺，按以上提供。

b．顯微鏡組成

1)高分辨率單筒顯微鏡二個。

2)二個CCD。

3)視頻連接線。

4)計算機和19"液晶監(jiān)視器。